利用涂布工艺成膜的是ITO、Ag和硅,使用大日本网屏的线性涂布机(Line Coater)涂布三菱材料的纳米油墨后加热形成。非晶硅型膜和微晶硅膜与原来一样仍采用真空工艺。
组合使用涂布工艺在1.1m×1.4m底板上形成串联构造薄膜硅型太阳能电池时,稳定化前的转换效率达到了10.4%。Isc(短路电流)为1.40A,Voc(开放电压)为160.7V,FF(填充因子)为71.2%。
利用涂布工艺成膜的是ITO、Ag和硅,使用大日本网屏的线性涂布机(Line Coater)涂布三菱材料的纳米油墨后加热形成。非晶硅型膜和微晶硅膜与原来一样仍采用真空工艺。
组合使用涂布工艺在1.1m×1.4m底板上形成串联构造薄膜硅型太阳能电池时,稳定化前的转换效率达到了10.4%。Isc(短路电流)为1.40A,Voc(开放电压)为160.7V,FF(填充因子)为71.2%。