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三菱电机全球首发用于空调的SiC逆变器

放大字体  缩小字体 发布日期:2015-06-24  浏览次数:0
核心提示:三菱电机宣布,该公司于2010年8月24日发布的、预定于2010年10月下旬上市的10款空调产品中的两款“全球首次采用了基于SiC功率半导
三菱电机宣布,该公司于2010年8月24日发布的、预定于2010年10月下旬上市的10款空调产品中的两款“全球首次采用了基于SiC功率半导体的逆变器模块”。由此三菱电机部分提前了预定在2011年度开始的SiC功率半导体的量产时间。

  配备SiC逆变器模块的产品为三菱室内空调“雾峰MoveEye”,包括制冷时额定输出功率为2.8kW的“MSZ-ZW281S”,以及制冷时额定输出功率为3.6kW的“MSZ-ZW361S”两款机型。均可用于驱动空调压缩机。配备机型的量产数量尚未公布,不过已经得知额定输出功率从2.2kW到7.1kW的整个ZW系列预定月产2万台。据该公司介绍,因采用该逆变器而带来的成本上升部分“由公司承担,不会转嫁到产品中”。今后,将在上市的空调产品中陆续配备SiC逆变器模块。

  首先用于二极管

  不过,此次在逆变器模块中,采用SiC制造的只有肖特基势垒二极管(SBD)。与SBD成对使用的晶体管仍是IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极晶体管)。三菱电机表示,“此次SiC制SBD的作用是‘突击队长’。从能够首先应用的产品开始点燃实用化的烽火,从而带动整个业界”。

  三菱电机表示,与所有硅基产品相比,该逆变器模块的开关损耗小约60%。在MSZ-ZW361S中“与采用原逆变器时相比,将耗电量降低约2%”(该公司)。该产品的“周期耗电量”*为1110kWh,因此大概可以将耗电量降低20kWh以上。

  三菱电机计划在不久的将来把IGBT全部换成SiC MOSFET,而且不仅是逆变器,还将在底板上的转换器中采用SiC功率半导体。据该公司介绍,“如果这些产品全部采用SiC的话,底板的功率模块部分将减至目前的1/2大小”。

 
 
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